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KNH2908B

耐压:80V 电流:130A

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描述: 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
品牌名称: KIA
商品型号: KNH2908B
商品编号: C2924928
商品封装: TO-3PF-3
包装方式: 管装
商品毛重: 6.88克(g)

商品参数

商品概述

这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统MOSFET，显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的功率MOSFET技术，降低了栅极驱动要求，提高了开关速度，并提升了整个系统的经济性。这些改进结合功率MOSFET久经考验的耐用性和可靠性，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准。 TO - 247封装适用于商业和工业应用，在这些应用中，较高的功率水平使得TO - 220器件无法使用。TO - 247与早期的TO - 218封装类似，但由于其安装孔具有绝缘性，性能更优。

商品特性

~~- 超低栅极电荷-降低栅极驱动要求-增强30 V VGS额定值-降低Ciss、Coss、Crss-中央安装孔绝缘-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-提供无铅产品

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	130A
	导通电阻(RDS(on))	6mΩ@10V
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	160nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.95nF
	反向传输电容(Crss)	380pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	输出电容(Coss)	460pF