温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BLM04N06-P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 186nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 680pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 760pF |
商品概述
FH1810G采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 全面表征雪崩电压和电流
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 出色的封装，散热性能佳
应用领域
-电机驱动器-功率开关应用-计算领域的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐