K4A4G165WE-BIRC

Name: SAMSUNG(三星半导体) K4A4G165WE-BIRC
Brand: SAMSUNG(三星半导体)
SKU: C2920057
Price: 28 CNY
Availability: OutOfStock

4Gb DDR4 SDRAM

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商品特性

符合JEDEC标准1.2V (1.14V~1.26V)
VDDQ = 1.2V (1.14V~1.26V)
VPP = 2.5V (2.375V~2.75V)
支持800 MHz fCK (1600 Mb/s/引脚)、933 MHz fCK (1866 Mb/s/引脚)、1067 MHz fCK (2133 Mb/s/引脚)、1200 MHz fCK (2400 Mb/s/引脚)、1333 MHz fCK (2666 Mb/s/引脚)
8个存储体（2个存储体组）
可编程CAS延迟（列地址选通延迟）：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20
可编程CAS写入延迟：DDR4-1600为9、11；DDR4-1866为10、12；DDR4-2133为11、14；DDR4-2400为12、16；DDR4-2666为14、18
8位预取
突发长度：8，4（当tCCD=4时，不支持无缝读写）
双向差分数据选通
内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准（RZQ：240欧姆 ± 1%）
使用ODT引脚实现片上终端匹配
平均刷新周期：在TCASE低于85°C时为7.8微秒，在85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9微秒
支持工业级温度范围 (-40°C ~ 95°C)
tREFI：在-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C时为7.8微秒；在85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9微秒
异步复位
封装：96球FBGA - x16位宽
所有无铅产品均符合RoHS标准
所有产品均为无卤素
支持用于读/写数据安全的CRC（循环冗余校验）
支持命令地址奇偶校验
支持DBI（数据总线反转）
支持降速模式
采用用于数据输入/输出的POD（伪开漏）接口
数据输入采用内部VREF
DRAM激活电源采用外部VPP
支持PPR

	属性	参数值
	工作电压	1.2V
	工作温度	-40℃~+95℃