K4A8G085WB-BIRC

Name: SAMSUNG(三星半导体) K4A8G085WB-BIRC
Brand: SAMSUNG(三星半导体)
SKU: C2920067
Price: 41.8 CNY
Availability: OutOfStock

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商品参数

参数完善中

符合JEDEC标准1.2V (1.14V ~ 1.26V)
VDDQ = 1.2V (1.14V ~ 1.26V)
支持多种频率：800 MHz fCK对应1600Mb/秒/引脚，933 MHz fCK对应1866Mb/秒/引脚，1067MHz fCK对应2133Mb/秒/引脚，1200MHz fCK对应2400Mb/秒/引脚，1333MHz fCK对应2666Mb/秒/引脚
16个存储体（4个存储体组）
可编程CAS延迟（已发布CAS）：10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
可编程附加延迟：0, CL-2或CL-1时钟周期
可编程CAS写入延迟(CWL) = 9, 11 (DDR4-1600), 10, 12 (DDR4-1866), 11, 14 (DDR4-2133), 12, 16 (DDR4-2400) 和 14, 18 (DDR4-2666)
8位预取
突发长度：8，4（当tCCD = 4时，不允许无缝读或写[通过A12或MRS即时更改]）
双向差分数据选通
内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准（RZQ：240欧姆 ±1%）
使用ODT引脚实现片上终端匹配
平均刷新周期：在TCASE低于85°C时为7.8微秒，在85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9微秒
支持工业温度范围(-40 ~ 95°C)
在-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C时，tREFI为7.8微秒
在85°C < TCASE ≤ 95°C时，tREFI为3.9微秒
支持连接性测试模式(TEN)
异步复位
封装：78球FBGA - x4/x8
所有无铅产品均符合RoHS标准
所有产品均为无卤素产品
支持循环冗余校验(CRC)