K4A8G165WB-BIRC

Name: SAMSUNG(三星半导体) K4A8G165WB-BIRC
Brand: SAMSUNG(三星半导体)
SKU: C2920128
Price: 253 CNY
Availability: InStock

8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，1.2V

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品牌名称: SAMSUNG(三星半导体)
商品型号: K4A8G165WB-BIRC
商品编号: C2920128
商品封装: FBGA-96
包装方式: 编带
商品毛重: 12.2克(g)

商品特性

符合JEDEC标准的1.2V工作电压（范围1.14V~1.26V），VDDQ电压也为1.2V（范围1.14V~1.26V）
VPP激活电压为2.5V（范围2.375V~2.75V）
支持多种时钟频率与数据传输速率：800MHz对应1600Mb/秒/引脚，933MHz对应1866Mb/秒/引脚，1067MHz对应2133Mb/秒/引脚，1200MHz对应2400Mb/秒/引脚，1333MHz对应2666Mb/秒/引脚
采用8个存储体（2个存储体组）架构
可编程CAS延迟（延迟CAS）：支持10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20
可编程CAS写入延迟（CWL）：DDR4-1600支持9、11；DDR4-1866支持10、12；DDR4-2133支持11、14；DDR4-2400支持12、16；DDR4-2666支持14、18
8位预取
突发长度：支持8和4（当tCCD=4时，不允许无缝读写，可通过A12或模式寄存器组动态切换）
双向差分数据选通
内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准（参考电阻RZQ：240欧姆 ± 1%）
使用ODT引脚实现片上终端匹配
平均刷新周期：在TCASE低于85°C时为7.8微秒，在85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9微秒
支持工业级温度范围（-40°C ~ 95°C）
刷新间隔tREFI：在-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C时为7.8微秒，在85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9微秒
支持异步复位
封装：96球FBGA，x16位宽
所有无铅产品均符合RoHS标准
所有产品均为无卤素产品
支持用于读写数据安全的循环冗余校验（CRC）
支持命令地址奇偶校验
支持数据总线反转（DBI）
支持降速模式
采用用于数据输入/输出的伪开漏（POD）接口
数据输入采用内部VREF参考电压
DRAM激活电源采用外部VPP电压
支持PPR和sPPR

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	属性	参数值
	商品目录	动态随机存取存储器(DRAM)
	接口类型	DDR4
	存储容量	8Gbit

	属性	参数值
	工作电压	1.2V
	工作温度	-40℃~+95℃

K4A8G165WB-BIRC

商品参数

商品特性

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