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K4A8G165WC-BITD
8Gb C-die DDR4 SDRAM x16
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- 描述
- 特性：无
- 品牌名称
- SAMSUNG(三星半导体)
- 商品型号
- K4A8G165WC-BITD
- 商品编号
- C2920133
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 7.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) | |
| 接口类型 | DDR4 | |
| 存储器构架(格式) | 512Mx16 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.2V | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
商品特性
- JEDEC标准1.2V（1.14V~1.26V）
- VDDQ = 1.2V（1.14V~1.26V）
- VPP = 2.5V（2.375V~2.75V）
- 800MHz fCK对应1600Mb/秒/引脚，933MHz fCK对应1866Mb/秒/引脚，1067MHz fCK对应2133Mb/秒/引脚，1200MHz fCK对应2400Mb/秒/引脚，1333MHz fCK对应2666Mb/秒/引脚，1600MHz fCK对应3200Mb/秒/引脚
- 8个存储体（2个存储体组）
- 可编程CAS延迟（后置CAS）：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、22、24
- 可编程CAS写延迟（CWL）：DDR4 - 1600为9、11；DDR4 - 1866为10、12；DDR4 - 2133为11、14；DDR4 - 2400为12、16；DDR4 - 2666为14、18；DDR4 - 3200为16、20
- 8位预取
- 突发长度：8、4，tCCD = 4，不允许无缝读写（可通过A12或MRS动态调整）
- 双向差分数据选通
- 内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准（RZQ：240欧姆 ± 1%）
- 使用ODT引脚进行片上终端匹配
- 在TCASE低于85°C时平均刷新周期为7.8微秒，在85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9微秒
- 支持工业温度（-40~95°C），在 - 40°C ≤ TCASE ≤ 85°C时tREFI为7.8微秒，在85°C < TCASE ≤ 95°C时tREFI为3.9微秒
- 支持连通性测试模式（TEN）
- 异步复位
- 封装：96球FBGA - x16
- 全无铅产品
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