K4A8G085WC-BIWE

Name: SAMSUNG(三星半导体) K4A8G085WC-BIWE
Brand: SAMSUNG(三星半导体)
SKU: C2920124
Price: 60.6 CNY
Availability: OutOfStock

8Gb C-die DDR4 SDRAM

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商品特性

符合JEDEC标准的1.2V工作电压（范围1.14V~1.26V）
VDDQ = 1.2V（范围1.14V~1.26V）
支持多种工作频率与数据传输速率：800 MHz fCK对应1600 Mb/s/引脚，933 MHz fCK对应1866 Mb/s/引脚，1067 MHz fCK对应2133 Mb/s/引脚，1200 MHz fCK对应2400 Mb/s/引脚，1333 MHz fCK对应2666 Mb/s/引脚，1467 MHz fCK对应2933 Mb/s/引脚，1600 MHz fCK对应3200 Mb/s/引脚
16个存储体（分为4个存储体组）
可编程CAS延迟（Posted CAS）：支持10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、24
可编程附加延迟：支持0、CL-2或CL-1个时钟周期
可编程CAS写入延迟（CWL）：支持9、11（DDR4-1600），10、12（DDR4-1866），11、14（DDR4-2133），12、16（DDR4-2400），14、18（DDR4-2666）以及16、20（DDR4-3200）
8位预取
突发长度：支持8，当tCCD=4时支持4（不允许无缝读写，可通过A12或模式寄存器设置进行动态切换）
双向差分数据选通
内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准（参考电阻RZQ：240欧姆 ± 1%）
支持通过ODT引脚实现片内终端匹配
平均刷新周期：当TCASE低于85°C时为7.8us，当85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9us
支持工业级温度范围（-40~95°C）
tREFI：当-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C时为7.8us
tREFI：当85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9us
支持连接性测试模式（TEN）

	属性	参数值
	工作电压	1.2V
	工作温度	-40℃~+95℃