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STGWT30HP65FB
650V 60A
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- 描述
- 650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWT30HP65FB
- 商品编号
- C2917578
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 输出电容(Coes) | 101pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 10A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.659nF | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 146ns | |
| 关断损耗(Eoff) | 293uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 76pF |