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TK5A50D(STA4,X,S)
用于开关稳压器应用的硅N沟道MOS型（π-MOSVII）场效应晶体管
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.3Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 3.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值） (VDS = 500V)。 增强模式：Vth = 2.4-4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK5A50D(STA4,X,S)
- 商品编号
- C2917544
- 商品封装
- SC-67
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
-分裂栅沟槽式MOSFET技术-出色的散热封装-用于降低漏源导通电阻的高密度单元设计
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.3 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 3.0 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10 \mu A(最大值)(VDS = 500 V)
- 增强型模式:V\textth = 2.4 至 4.4 V(V\textDS = 10 V,I\textD = 1 mA)
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-工业和电机驱动应用