STD30N10F7
N沟道,电流:32A,耐压:100V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD30N10F7
- 商品编号
- C2917584
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(RDS(on))
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
- 具备静电放电(ESD)保护
应用领域
-便携式设备的负载开关-DC/DC 转换器
