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G30N03A
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- N管，30V,30A,开启1.5V, 6.3mΩ@10V, 9.2mΩ@4.5V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G30N03A
- 商品编号
- C337506
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@15V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.49nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G30N03A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 9mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 13mΩ
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 采用散热性能良好的优质封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 开关电源和通用应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源