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E100N2P3OH1
1个N沟道 耐压:100V 电流:325A
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- 描述
- 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):325A功率(Pd)536W阈值电压(Vgs(th)@Id):3.2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)203nC@10V输入电容(Ciss@Vds)12560pF@50V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E100N2P3OH1
- 商品编号
- C29781175
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 325A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 536W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 203nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.81nF |
商品概述
SLP2301LT1G是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -20V/-4.3A，RDS(ON) = 30mΩ（典型值）@VGS~~- 4.5V
- -20V/-3.5A，RDS(ON) = 40mΩ（典型值）@VGS = -2.5V
- -20V/-2.0A，RDS(ON) = 56mΩ（典型值）@VGS = -1.8V
- -20V/-1.0A，RDS(ON) = 85mΩ（典型值）@VGS = -1.5V
- 针对极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
- P沟道
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器