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E150N5P5GH1
1个N沟道 耐压:150V 电流:205A
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- 描述
- 1个N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):205A功率(Pd)517W阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)142nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9325pF@75V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E150N5P5GH1
- 商品编号
- C29781180
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.275nF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 有绿色环保器件可供选择
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
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