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GN2014
1个N沟道 耐压:12V 电流:15A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GN2014
- 商品编号
- C2900585
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤,“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准,详见订购信息)
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统-DC-DC转换器-开关应用
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