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SVF20NE50PN
N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- SVF20NE50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF20NE50PN
- 商品编号
- C2897710
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 252W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.504nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.03pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 425pF |
商品概述
SVF12N60CF是采用士兰微专有F-Cell™结构VDMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 12A，600V，RDS(on)（典型值）=0.58Ω@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器