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SVT085R5NT
N沟道增强型MOSFET,电流:120A,耐压:85V
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- 描述
- SVT085R5NT/S/L5/KL 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用的 LVMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源和逆变器系统电源管理领域
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVT085R5NT
- 商品编号
- C2897720
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.281nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 669pF |
商品概述
SVT085R5NT/S/L5/KL是一款采用士兰微LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能进行了优化。 该器件广泛应用于不间断电源和逆变器系统电源管理领域。
商品特性
- 120A、85V,RDS(on)(典型值)= 4.5 mΩ @ VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-不间断电源-逆变器系统电源管理
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