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SVT085R5NT
N沟道增强型MOSFET,电流:120A,耐压:85V
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- 描述
- SVT085R5NT/S/L5/KL 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用的 LVMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源和逆变器系统电源管理领域
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVT085R5NT
- 商品编号
- C2897720
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.281nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 669pF |
商品概述
UTC 14N50-TC是一款高压大电流功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC-DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 7.0A条件下，RDS(ON) ≤ 0.55 Ω
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效AC-DC转换器
- 桥接电路
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