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SVF2N60M
2A、600V N沟道MOSFET
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- 描述
- SVF2N60M/F/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-cellTM结构DMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF2N60M
- 商品编号
- C2897742
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.67nC | |
| 输入电容(Ciss) | 250.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35.7pF |
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起订量：5 个75个/管
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