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CS9N90ANHD
1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
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- 描述
- CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N)，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CS9N90ANHD
- 商品编号
- C2897744
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
优惠活动
购买数量
(25个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个25个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交14单
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