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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

CS25N50ANR

1个N沟道 耐压:500V 电流:25A

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描述
CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P（N），符合RoHS标准
品牌名称
CRMICRO(华润微)
商品型号
CS25N50ANR
商品编号
C2900748
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
5.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))270mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)64nC@10V
输入电容(Ciss)3.487nF@25V
反向传输电容(Crss)10pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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