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LTP3312NXF4
300mA通用型射频线性稳压器
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- 描述
- LTP33xx 系列低压差（LDO）、低功耗线性稳压器在保持仅 40 μA 低接地电流的同时，还具备极高的电源抑制比（PSRR），适用于射频应用。该系列采用先进的 CMOS 工艺和 P 沟道 MOSFET 传输器件，实现了快速启动、极低噪声、出色的瞬态响应和优异的 PSRR 性能。LTP33xx 搭配 1.0 μF 陶瓷输出电容即可保持稳定，并采用精密电压基准和反馈回路，在所有负载、线路、工艺及温度变化情况下，最坏情况下的精度可达 2%
- 品牌名称
- Linearin(先积集成)
- 商品型号
- LTP3312NXF4
- 商品编号
- C2897793
- 商品封装
- DFN1x1-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 线性稳压器(LDO) | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 工作电压 | 6V | |
| 输出电压 | 1.2V | |
| 输出电流 | 300mA | |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 70dB@(1kHz) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 40uA | |
| 噪声 | 45uVrms | |
| 特性 | 带使能；过热保护；过流保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| 输出极性 | 正极 | |
| 输出通道数 | 1 |
商品概述
LTP33xx系列低压差（LDO）、低功耗线性稳压器在保持仅40 μA极低接地电流的同时，提供非常高的电源抑制比（PSRR），适用于射频应用。该系列采用先进的CMOS工艺和P沟道MOSFET传输器件，实现快速启动、极低噪声、出色的瞬态响应和优异的PSRR性能。LTP33xx搭配1.0 μF陶瓷输出电容即可保持稳定，并采用精密电压基准和反馈环路，在所有负载、线路、工艺和温度变化下，最坏情况下的精度可达2%。其工作温度范围为T1 = -40 °C至+125 °C，提供超小型DFN1×1 - 4L/UTDFN1.0×1.0 - 4L、SOT23 - 5L/SC70 - 5L和SOT23 - 3L/SOT - 89封装，非常适合无线手机和可穿戴设备等小尺寸便携式设备。 LTP33xx提供1.1V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V等标准固定输出电压，也可提供定制电压选项（可按需提供0.8V至5.0V之间以50mV为步进的电压选项）。
商品特性
- 宽输入电压范围：2.5 V至6.0 V
- 最大负载电流可达300 mA
- 标准固定输出电压选项：1.1 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、2.8 V、3.0 V、3.3 V和3.6 V
- 可按需提供更多输出电压选项
- 超低压差：300 mA负载下为190 mV
- 超低噪声：1.2 V输出时为45 μV RMS
- 超快启动时间：25 μs
- 出色的负载和线路瞬态响应
- 典型线路调整率：0.03%
- DFN1×1 - 4L、UTDFN1.0×1.0 - 4L、SOT23 - 5L和SC70 - 5L封装提供自动放电关断版本
- SOT23 - 3L和SOT - 89封装提供普通版本
应用领域
- 智能手机和移动电话
- 调制解调器
- 安全与监控设备
- 便携式设备
- 电池供电设备