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SVT042R5NT
N沟道,电流:174A,耐压:40V
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- 描述
- SVT042R5NL5(T) 是一款采用先进 LVMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻和提供卓越的开关性能进行了优化。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统的电源管理领域
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVT042R5NT
- 商品编号
- C2897719
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 174A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 520pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 770pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
总价金额：
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