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HY5012W
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:125V 电流:300A
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- 描述
- 特性：125V/300A。 RDS(ON)-2.9mΩ（典型值）@ VGS = 10V。 雪崩额定。 可靠且耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS）。应用：逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY5012W
- 商品编号
- C2894733
- 商品封装
- TO-247A-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 352nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 930pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.57nF |
商品特性
- 我们声明该产品的材料符合RoHS要求且无卤素。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
- 静电防护：1000V