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HY1707P
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:70V 电流:80A
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- 描述
- 特性：70V/80A，RDS(ON) = 6mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 雪崩额定。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合 RoHS）。应用：逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1707P
- 商品编号
- C2894734
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
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