1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
- 1+: ¥2.74 / 个
- 10+: ¥2.19 / 个
- 30+: ¥1.96 / 个
- 100+: ¥1.67 / 个
- 500+: ¥1.54 / 个
- 800+: ¥1.46 / 个 (折合1圆盘1168元)
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¥2.74 / 个 |
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¥2.19 / 个 |
30+: |
¥1.96 / 个 |
100+: |
¥1.67 / 个 |
500+: |
¥1.54 / 个 |
800+: |
¥1.46 / 个 (折合1圆盘1168元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
功率(Pd) | 187.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,50A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.036nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 76pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |