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HYG023N04LS1P
N沟道 耐压:40V 电流:170A
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG023N04LS1P
- 商品编号
- C2895306
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.032nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 809pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业和工业应用，TO - 247AC封装是首选。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似，但由于其安装孔绝缘，性能更优。它还能提供更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
商品特性
- 40V/170A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON)= 2.1 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON)= 2.9 mΩ(典型值)
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- DC/DC电源管理
- N沟道MOSFET