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HYG023N04LS1P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG023N04LS1P

N沟道 耐压:40V 电流:170A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG023N04LS1P
商品编号
C2895306
商品封装
TO-220FB​
包装方式
盒装
商品毛重
2.07克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))2.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58.7nC@10V
输入电容(Ciss)4.032nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)809pF

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业和工业应用,TO - 247AC封装是首选。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似,但由于其安装孔绝缘,性能更优。它还能提供更大的引脚间爬电距离,以满足大多数安全规范的要求。

商品特性

~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-中央安装孔绝缘-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF