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NP8205MR
N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- NP8205MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP8205MR
- 商品编号
- C2888099
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
JMG N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V,漏极电流ID = 6.5 A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) = 19.6 mΩ(典型值)
- 当栅源电压VGS = 2.5V时,导通电阻RDS(ON) = 23.7 mΩ(典型值)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理