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GL35N03AD3
N沟道,电流:35A,耐压:30V
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- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL35N03AD3
- 商品编号
- C2886427
- 商品封装
- QFN(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.7mΩ@10V,12A | |
| 功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 230pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 5.5 mΩ(典型值为4.7 mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 采用散热性能良好的封装
- QFN 3.3 × 3.3
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源