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GL60N02A4
N沟道,电流:60A,耐压:20V
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- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL60N02A4
- 商品编号
- C2886412
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@10V,20A | |
| 功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HT2301A采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON)<5 mΩ(典型值为3.8 mΩ)
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 封装散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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