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GL20N02-8
N沟道,电流:20A,耐压:20V
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- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL20N02-8
- 商品编号
- C2886407
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@10V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
GL12P03 - 8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 14 mΩ（典型值11 mΩ）
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性表征
- 封装散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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