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GL8N04-8
N沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- GL8N04 - 8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL8N04-8
- 商品编号
- C2886404
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 22 mΩ(典型值为18 mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源