SN74ALVTH16601GR
SN74ALVTH16601GR
- 描述
- 具有三态输出的 2.5V/3.3V、18 位通用总线收发器 56-TSSOP -40 to 85
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- SN74ALVTH16601GR
- 商品编号
- C2866060
- 商品封装
- TSSOP-56-6.1mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.534克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 锁存器 | |
| 逻辑类型 | D型锁存器 | |
| 输出类型 | 三态 | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 通道数 | 18 | |
| 拉电流(IOH) | 32mA | |
| 灌电流(IOL) | 32mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | 4.6ns | |
| 系列 | 74ALVTH | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 建立时间 | 2.4ns | |
| 保持时间 | 0.5ns | |
| 静态电流(Iq) | 100uA |
商品概述
ALVTH16601器件是18位通用总线收发器,设计用于2.5V或3.3V VCC工作,同时能够为5V系统环境提供TTL接口。该器件结合了D型锁存器和D型触发器,允许数据以透明模式、锁存模式和时钟模式传输。每个方向的数据流由输出使能(OEAB和OEBA)、锁存使能(LEAB和LEBA)和时钟(CLKAB和CLKBA)输入控制。时钟可由时钟使能(CLKENAB和CLKENBA)输入控制。对于A到B的数据流,当LEAB为高电平时,器件工作在透明模式;当LEAB为低电平时,若CLKAB保持高或低逻辑电平,A数据被锁存;若LEAB为低电平,A数据在CLKAB的低到高跳变沿存储在锁存/触发器中。输出使能OEAB为低电平有效,当OEAB为低电平时,输出处于激活状态;当OEAB为高电平时,输出处于高阻态。B到A的数据流与A到B类似,但使用OEBA、LEBA、CLKBA和CLKENBA。该器件通过Ioff和上电三态功能完整支持热插入应用。Ioff电路禁用输出,防止器件掉电时产生破坏性的回流电流。上电三态电路在上电和掉电期间将输出置于高阻态,防止驱动冲突。当VCC在0V到1.2V之间时,器件在上电或掉电过程中处于高阻态。为了确保1.2V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC,电阻的最小值由驱动器的灌电流能力决定。器件内置有源总线保持电路,可将未使用或浮动的数据输入保持在有效逻辑电平。SN74ALVTH16601的工作温度范围为-40℃至85℃。
商品特性
- 结合D型锁存器和D型触发器,可在透明模式、锁存模式、时钟模式或时钟使能模式下工作
- 采用高级双极CMOS工艺(ABT)Widebus设计,支持2.5V和3.3V工作,静态功耗低
- 支持混合模式信号工作(5V输入输出电压,VCC范围2.3V至3.6V)
- 在VCC=3.3V,TA=25℃条件下,典型VOLP(输出接地反弹)< 0.8 V
- 高驱动能力(VCC为2.5V时为-24/24mA,VCC为3.3V时为-32/64mA)
- Ioff和上电三态功能支持热插入
- 数据输入端采用总线保持,可替代外部上拉/下拉电阻,防止总线浮动
- 当输出电压超过VCC + 0.5V时,Auto3-State功能可消除总线电流负载
- 直通结构便于印刷电路板布局
- 分布式VCC和GND引脚配置可最小化高速开关噪声
- ESD防护超过200V(机器模型,C=200pF,R=0)
- 锁存性能超过100mA,符合JESD 78 II类规范
- 提供多种封装选项:塑料收缩小外形(DL)、薄型收缩小外形(DGG)、薄型超小外形(DGV)、380密耳细间距陶瓷扁平(WD)封装
- 74FCT162501CTPVCT
- SN74ALS259N
- SN74AVC16834DGGR
- CVMEH22501AIDGVREP
- SN74ALVCH16500DLR
- SN74AUC245RGYR
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- CD74HC75PWR
- SN74ACT574DW
- SN74ALVC162835DGGR
- CD74HCT573DBR
- SN74ALVCH16973DGGR
- SN74AHC373DBR
- SN74AVC16373DGGR
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- SN74ABT533APWR
- SN74ALVCH16524DL


