SN74ALVCH162841GR
SN74ALVCH162841GR
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SN74ALVCH162841 具有三态输出的 9 位总线接口 D 类锁存器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- SN74ALVCH162841GR
- 商品编号
- C2860128
- 商品封装
- TSSOP-56-6.1mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 锁存器 | |
| 逻辑类型 | D型锁存器 | |
| 输出类型 | 三态 | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 通道数 | 20 | |
| 拉电流(IOH) | 12mA | |
| 灌电流(IOL) | 12mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | 4.3ns | |
| 系列 | 74ALVCH | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 建立时间 | 1.1ns | |
| 保持时间 | 1.1ns | |
| 静态电流(Iq) | 40uA |
商品概述
这款20位总线接口D型锁存器,设计用于1.65V 至 3.6V VCC工作电压。SN74ALVCH162841具有专为驱动高容性负载或相对低阻抗负载设计的三态输出,该器件特别适用于实现缓冲寄存器、单向总线驱动器和工作寄存器。SN74ALVCH162841可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器,20位锁存器为透明D型锁存器。该器件具有同相数据(D)输入,在输出端提供真实数据。当锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,对应10位锁存器的Q输出跟随D输入;当LE变为低电平时,Q输出锁存到D输入建立的电平。缓冲输出使能(1OE或2OE)输入可将对应10位锁存器的输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态,在高阻态下,输出不会对总线产生明显的负载或驱动。OE不影响锁存器的内部操作,输出处于高阻态时,旧数据可以保留,也可以输入新数据。输出设计为可灌电流最大12mA,内置等效26Ω电阻以减少过冲和下冲。为确保在上电或掉电期间保持高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC,电阻的最小值由驱动器的灌电流能力决定。内置有源总线保持电路可将未使用或悬浮的输入保持在有效逻辑电平。SN74ALVCH162841的工作温度范围为-40℃ 至 85℃。
商品特性
- 属于Widebus™家族
- 采用EPIC™(Enhanced-Performance Implanted CMOS)亚微米工艺
- 输出端口内置等效26Ω串联电阻,无需外部电阻
- ESD防护超过2000V,超过200V(机器模型,C = 200pF,R = 0)
- 锁存性能超过250mA(符合JESD 17标准)
- 数据输入的总线保持功能无需外部上拉/下拉电阻
- 封装选项包括塑料300-mil收缩小外形(DL)封装和薄型收缩小外形(DGG)封装
- 对于卷带包装订单,DGGR封装缩写为GR
- SN74ALVCH162836GR
- SN74LS645-1NSR
- TPIC6B273N
- SN74ALVCH16901DGGR
- SN74LVC573AN
- SN74LVTH373DBR
- SN74AC373DBR
- SN74ACT1284DBR
- SN74ALVC162836DGVR
- SN74ALVTH16601VR
- CD74AC373M96
- SN74ALVCF162835VR
- SN74ABT373NSR
- SN74AC373NSR
- SN74ALVCH162601GR
- CD4042BNSR
- SN74ABT373DWR
- CLVTH162373MDLREP
- SN74LVC373AQPWREP
- SN74LVTH16500DGGR
- SN74ALVCF162835GR



