TPIC6B273N
功率逻辑八进制D型锁存器
- 描述
- TPIC6B273 八通道、150mA/通道 D 类锁存器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC6B273N
- 商品编号
- C2860296
- 商品封装
- PDIP-20
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 锁存器 | |
| 逻辑类型 | D型锁存器 | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 通道数 | 8 | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | - | |
| 系列 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 建立时间 | 20ns | |
| 保持时间 | 20ns | |
| 静态电流(Iq) | 20uA |
商品概述
TPIC6B273是单片高压中电流功率逻辑八进制D型锁存器,配备DMOS晶体管输出,设计用于需要相对较高负载功率的系统;器件输出端内置电压钳位,用于感应瞬态保护;内置八个正边沿触发D型触发器,带直接清零输入,每个触发器都配有开漏功率DMOS晶体管输出;清零端为高电平时,满足建立时间要求的D输入信息会在时钟脉冲正沿传输到漏极输出,时钟触发由特定电压电平决定,与正脉冲跳变时间无直接关联,时钟处于高电平或低电平时,D输入信号不会影响输出;提供异步清零功能,可关闭所有八个DMOS晶体管输出;对应输出数据为低时DMOS晶体管输出关闭,数据为高时DMOS晶体管输出具备灌流能力;输出为低侧开漏DMOS晶体管。
商品特性
- 导通电阻典型值5Ω
- 单脉冲雪崩能量30mJ
- 八路功率DMOS晶体管输出,每路连续电流可达150mA
- 典型限流能力为500mA
- 输出钳位电压50V
- 功耗低
- 25℃壳温下每路输出可提供500mA典型电流限制,结温升高时电流限制降低,为器件提供额外保护
- 输出额定值为50V,支持150mA连续灌流能力
- 工作壳温范围为-40℃到125℃
- 工作结温范围为-40℃到150℃
- 逻辑电源电压最大额定值7V
- 逻辑输入电压范围-0.3V到7V
- 功率DMOS漏源电压额定值50V
- 连续源漏二极管阳极电流额定值500mA
- 脉冲源漏二极管阳极电流额定值1A
- 25℃壳温下脉冲漏电流额定值500mA每路
- 25℃壳温下连续漏电流额定值150mA每路
- 25℃壳温下单路输出峰值漏电流额定值500mA
- 雪崩电流额定值500mA
- 存储温度范围-65℃到150℃
- 距离壳体1.6mm处引脚10秒焊接温度最高可达260℃
- 支持正边沿触发,异步清零功能
应用领域
- 继电器驱动
- 螺线管驱动
- 其他中电流或高压负载驱动
- SN74ALVCH16901DGGR
- SN74LVC573AN
- SN74LVTH373DBR
- SN74AC373DBR
- SN74ACT1284DBR
- SN74ALVC162836DGVR
- SN74ALVTH16601VR
- CD74AC373M96
- SN74ALVCF162835VR
- SN74ABT373NSR
- SN74AC373NSR
- SN74ALVCH162601GR
- CD4042BNSR
- SN74ABT373DWR
- CLVTH162373MDLREP
- SN74LVC373AQPWREP
- SN74LVTH16500DGGR
- SN74ALVCF162835GR
- SN74ALVCH162268GR
- SN74AHCT373DBR
- SN74LVTH16501DLR


