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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPIC6B595DW

电源逻辑8位移位寄存器

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描述
150mA/通道 8 位移位寄存器 20-SOIC -40 to 125
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TPIC6B595DW
商品编号
C2859837
商品封装
SOIC-20-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
1.038948克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录移位寄存器
功能串行至并行
工作电压4.5V~5.5V
输出类型开漏
传播延迟(tpd)150ns@5V,30pF
属性参数值
输出电流150mA
分辨率(位)8
灌电流(IOL)150mA
工作温度-40℃~+125℃
功能特性异步清零功能;输出使能

商品概述

TPIC6B595是一款单片、高压、中电流功率8位移位寄存器,适用于需要相对高负载功率的系统。该器件输出内置电压钳位,可用于感应瞬态保护,适用于继电器、螺线管以及其他中电流或高压负载的功率驱动场景。该器件包含一个8位串行输入、并行输出移位寄存器,为8位D型存储寄存器提供输入;数据分别在移位寄存器时钟SRCK和寄存器时钟RCK的上升沿完成移位和存储传输。当移位寄存器清零端SRCLR为高电平时,存储寄存器将数据传输至输出缓存;当SRCLR为低电平时,输入移位寄存器清零。当输出使能端为高电平时,输出缓存所有数据保持低电平,所有漏极输出关闭;当输出使能为低电平时,存储寄存器的数据直接传输至输出缓存。当输出缓存数据为低电平时,DMOS晶体管输出关闭;当数据为高电平时,DMOS晶体管输出具备灌电流能力。串行输出端允许移位寄存器的数据级联至额外器件。输出为低侧开漏DMOS晶体管,额定输出为50V,具备150mA连续灌电流能力;每个输出在壳温25℃时典型限流为500mA,结温升高时限流会降低,为器件提供额外保护。该器件工作壳温范围为-40℃~125℃。

商品特性

  • 导通电阻rDS(on)低,典型值为5Ω
  • 雪崩能量为30mJ
  • 8个功率DMOS晶体管输出,支持150mA连续电流
  • 输出钳位电压为50V
  • 支持器件级联扩展
  • 低功耗
  • 输出内置感应瞬态保护电压钳位
  • 内置8位串行输入并行输出移位寄存器与8位D型存储寄存器
  • 自带温度关联限流保护,提升器件安全性

应用领域

  • 仪表组
  • 指示灯
  • LED照明与控制
  • 继电器或螺线管驱动器