TPIC6B595DW
电源逻辑8位移位寄存器
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- 描述
- 150mA/通道 8 位移位寄存器 20-SOIC -40 to 125
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC6B595DW
- 商品编号
- C2859837
- 商品封装
- SOIC-20-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.038948克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 移位寄存器 | |
| 功能 | 串行至并行 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 传播延迟(tpd) | 150ns@5V,30pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电流 | 150mA | |
| 分辨率(位) | 8 | |
| 灌电流(IOL) | 150mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 异步清零功能;输出使能 |
商品概述
TPIC6B595是一款单片、高压、中电流功率8位移位寄存器,适用于需要相对高负载功率的系统。该器件输出内置电压钳位,可用于感应瞬态保护,适用于继电器、螺线管以及其他中电流或高压负载的功率驱动场景。该器件包含一个8位串行输入、并行输出移位寄存器,为8位D型存储寄存器提供输入;数据分别在移位寄存器时钟SRCK和寄存器时钟RCK的上升沿完成移位和存储传输。当移位寄存器清零端SRCLR为高电平时,存储寄存器将数据传输至输出缓存;当SRCLR为低电平时,输入移位寄存器清零。当输出使能端为高电平时,输出缓存所有数据保持低电平,所有漏极输出关闭;当输出使能为低电平时,存储寄存器的数据直接传输至输出缓存。当输出缓存数据为低电平时,DMOS晶体管输出关闭;当数据为高电平时,DMOS晶体管输出具备灌电流能力。串行输出端允许移位寄存器的数据级联至额外器件。输出为低侧开漏DMOS晶体管,额定输出为50V,具备150mA连续灌电流能力;每个输出在壳温25℃时典型限流为500mA,结温升高时限流会降低,为器件提供额外保护。该器件工作壳温范围为-40℃~125℃。
商品特性
- 导通电阻rDS(on)低,典型值为5Ω
- 雪崩能量为30mJ
- 8个功率DMOS晶体管输出,支持150mA连续电流
- 输出钳位电压为50V
- 支持器件级联扩展
- 低功耗
- 输出内置感应瞬态保护电压钳位
- 内置8位串行输入并行输出移位寄存器与8位D型存储寄存器
- 自带温度关联限流保护,提升器件安全性
应用领域
- 仪表组
- 指示灯
- LED照明与控制
- 继电器或螺线管驱动器
- LP38500TJ-ADJ/NOPB
- LP38691QSDX-1.8/NOPB
- DAC7634E
- LM5119PSQX/NOPB
- LP38693SDX-5.0/NOPB
- UCC3808ADTR-2
- ISO7810FDWR
- SN74LV11ATPWRG4Q1
- SN74LV132ADR
- SN74ALVTH162827VR
- SN74LV8151DWR
- SN74LVTH540DBR
- TPS54429ERSAR
- TLV2217-33KVURG3
- TMP411DQDGKRQ1
- TS5A4597DBVR
- LM2940IMPX-5.0/NOPB
- CDC509PWR
- TPS650242RHBT
- TPS77618QPWPREP
- TXS03121DRLR



