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STF10N62K3
N沟道620 V功率MOSFET
- 描述
- 这些Power MOSFET是对SuperMESH技术改进的结果，结合了新的优化垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，适用于要求最苛刻的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF10N62K3
- 商品编号
- C2844906
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138pF |
商品特性
- 受封装限制
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用