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STP24NF10
1个N沟道 耐压:100V 电流:26A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用独特的STripFET工艺开发，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用的先进高效隔离式DC-DC转换器中的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP24NF10
- 商品编号
- C2844919
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
总价金额：
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