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STD3NK80Z-1
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.5A
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- 描述
- 这些高压器件是采用意法半导体的SuperMESH™技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，是成熟的PowerMESH™的优化版本。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。该系列补充了意法半导体的全系列高压MOSFET，包括革命性的MDmesh™产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD3NK80Z-1
- 商品编号
- C2844918
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(75个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个75个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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