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STD25NF10LT4
N沟道,电流:25A,耐压:100V
- 描述
- N沟道,100V,25A,40mΩ@4.5V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD25NF10LT4
- 商品编号
- C29576
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款MOSFET系列产品，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合用作电信和计算机应用中先进的高效、高频隔离式DC-DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极驱动要求较低的应用。
商品特性
- 典型RDS(on) = 0.030 Ω
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低阈值器件
- 逻辑电平器件
- 采用卷带封装（后缀“T4”）的表面贴装DPAK（TO-252）功率封装
应用领域
- 高效DC-DC转换器-不间断电源和电机控制
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