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HYG420N06LR1D
N沟道,电流:22A,耐压:60V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG420N06LR1D
- 商品编号
- C2841914
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 843pF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ME10N15是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 345mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 365mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
- LCD显示器逆变器