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HYG054N09NS1P
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:85V 电流:135A
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- 描述
- 特性：85V/135A，RDS(ON)=4.8mΩ(典型值)@VGS=10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 电机控制
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG054N09NS1P
- 商品编号
- C2841916
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.067nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 669pF |
商品概述
ME4972-G是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及需要极小外形尺寸表面贴装封装且线路功率损耗低的应用。
商品特性
- 85V/135A
- RDS(ON)= 4.8mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 开关应用
- 电机控制
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