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HYG180N10LS1D

N沟道耐压:100V 电流:45A

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描述: 特性：100V/45A，RDS(ON)= 16mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON)= 24mΩ (典型值) @ VGS = 6V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：高频负载点同步降压转换器
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HYG180N10LS1D
商品编号: C2842092
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.36克(g)

商品参数

ME60N04是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低压应用，如LCD逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的DC - DC转换器电路。

-高频负载点同步降压转换器-单N沟道MOSFET