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HYG180N10LS1D
N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- 特性：100V/45A，RDS(ON)= 16mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON)= 24mΩ (典型值) @ VGS = 6V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：高频负载点同步降压转换器
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG180N10LS1D
- 商品编号
- C2842092
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 71.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 474pF |
商品概述
ME60N04是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低压应用，如LCD逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的DC - DC转换器电路。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) ≤ 12 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 17 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理-DC/DC转换器-LCD电视和显示器逆变器-CCFL逆变器-次级同步整流
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