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LP2301ALT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V。 RDS(ON)，VGS@ -2.5V，IDS@ -2.0A = 150mΩ。 RDS(ON)，VGS@ -4.5V，IDS@ -2.8A = 110mΩ。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2301ALT1G
- 商品编号
- C2842079
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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