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APM2315AC-TRG
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：20V/-4A。 RDS(ON) = 35mΩ (典型值) @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 45mΩ (典型值) @ VGS = -2.5V。 RDS(ON) = 60mΩ (典型值) @ VGS = -1.8V。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件 (符合RoHS标准)。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
- 品牌名称
- Sinopower(大中)
- 商品型号
- APM2315AC-TRG
- 商品编号
- C2841898
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 新型革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 改进的跨导
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准，采用无卤模塑料封装
- 完全符合JEDEC工业应用标准
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