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KCB3010A
1个N沟道 耐压:100V 电流:163A
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- 描述
- KCX3010A是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这是适用于电机驱动器和高速开关应用的器件。
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCB3010A
- 商品编号
- C2839424
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 163A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 880pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽 DMOST 技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(典型值)RDS(on) = 4.0 m Ω
- 低栅极电荷
- 采用先进的SGT技术
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
- 电机驱动器