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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

KNP2404N

耐压:40V 电流:190A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:RDS(ON), typ.=4mΩ(typ.)@Vds=10V。 专有新沟槽技术。 低栅极电荷,可最小化开关损耗。 快速恢复体二极管。应用:DC-DC转换器。 DC-DC逆变器
品牌名称
KIA
商品型号
KNP2404N
商品编号
C2839429
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
3.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)190A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)333W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)97nC@10V
输入电容(Ciss)3.85nF
反向传输电容(Crss)420pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)1.75nF

商品概述

NCE30H10AK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 100A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 4.5 mΩ(典型值:3.2 mΩ)
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 6.0 mΩ(典型值:4.0 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 具备全面表征的雪崩电压和电流
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装
  • 特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力

应用领域

  • 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF