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KCY3310A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

KCY3310A

N沟道 耐压:100V 电流:85A

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描述
特性:低RDS(on)和FOM。 极低的开关损耗。 使用先进的SGT技术。 出色的稳定性和一致性。 快速开关和软恢复。 适用于功率开关应用。 低导通电阻(典型值)RDS(on)=5.0mΩ。 适用于硬开关和高频电路。 适用于不间断电源
品牌名称
KIA
商品型号
KCY3310A
商品编号
C2839426
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)66nC@10V
输入电容(Ciss)4.6nF
反向传输电容(Crss)43pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.25nF

商品特性

  • 采用先进的SGT技术
  • 极低的RDS(on),典型值为4.5mΩ(Vgs = 10V时)
  • 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积(品质因数FOM)

应用领域

  • 电机驱动
  • 同步整流(SR)
  • DC/DC转换器
  • 通用应用

数据手册PDF