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KND3403B
N沟道 耐压:30V 电流:85A
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- 描述
- 特性：85A, 30V, RDS(on) 典型值 = 4.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：UPS。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND3403B
- 商品编号
- C2839427
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- KNX3403B是一款采用KIA的LVMosfet技术生产的N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管。改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,并提供卓越的开关性能。
- 85A、30V,RDS(导通)典型值 = 4.5mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 逆变器系统电源管理