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SI4160DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:25.4A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：笔记本-Vcore低侧-DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4160DY-T1-GE3
- 商品编号
- C2837209
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.261克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.071nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 406pF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷（典型值Qg = 22.5 nC）
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器