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HYG064N08NA1B
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- 特性：80V/120A。 R_D(ON)=6.4mΩ (typ.) @ V_GS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG064N08NA1B
- 商品编号
- C2830426
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 80V/120A
- RDS(ON) = 6.4 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-开关应用-逆变器系统电源管理
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- SCD3R0V106C06DSZ
- SCD3R0V306C14DSZ
- SCD3R0V107C16DSZ
- SMD05R5S02R5DARZA00
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- LCB TVSG-AXBZ-2J8L-1-20-R18-Z
- LS A676-P2S1-1-0-20-R33-Z
- LS A67F-U2BA-1-3A4B-30-R33
- LW TVSG.BB-AZBZ-FBKC-Z486-20-R18-Z
- LY T67D-U1V2-36-1-20-R18-Z
- LA A67F-AACA-24-1-30-R33
- LRTBR48G-P9Q7-1+R7S5-26+NP-68-R33-ZB
- LA T67F-V1BA-24-1-20-R18-Z