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HYG045N03LA1C2
1个N沟道 耐压:30V 电流:78A
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- 描述
- 特性：30V/78A。 RDS(ON) = 3.6mΩ（典型值），VGS = 10V。 RDS(ON) = 4.8mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 可提供无卤器件。应用：负载开关。 锂电池保护板
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG045N03LA1C2
- 商品编号
- C2830479
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 223pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -0.6A
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 550 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -2.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 880 mΩ
- 静电放电（ESD）保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换
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